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  • 雪崩InGaAs单元探测器 APD系列 带宽300MHz

    InGaAs雪崩单元探测器 APD系列 带宽300MHz

    更新时间:2024-12-07
    产物型号:
    浏览量:1077
  • 雪崩InGaAs单元探测器 APD系列 带宽200MHz

    InGaAs雪崩单元探测器 APD系列 带宽200MHz

    更新时间:2024-12-07
    产物型号:
    浏览量:1071
  • APD-1G-A.InGaAs 雪崩单元探测器 APD-1G-A

    InGaAs 雪崩单元探测器 APD-1G-A 雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带 跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿; 隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温 度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、 高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。

    更新时间:2025-05-30
    产物型号:础笔顿-1骋-础.
    浏览量:1245
  • MTPD2601K8-150800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 1.5mm TO39密封圆顶透镜

    800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 1.5mm TO39密封圆顶透镜 产物总览 灵敏度波长范围的800nm~2600nm MTPD260K8-150是一个高灵敏度和高可靠性的产物系列,非常适合于光通信设备 。客户可定制不同的封装形式。

    更新时间:2025-02-22
    产物型号:惭罢笔顿2601碍8-150
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  • Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm)

    Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm) 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。

    更新时间:2025-02-06
    产物型号:
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