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  • 铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管(900-1800nm,直径10mm)

    便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔 半导体激光二极管。 超大光敏面 铟镓砷(InGaAs)PIN结二极管(PD) 光电二极管(10mm)近红外波长

    更新时间:2024-12-04
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  • APD芯片 四象限雪崩探测接收模块GD4516YB

    APD芯片 四象限雪崩探测接收模块GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。 铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块

    更新时间:2024-12-04
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  • 四象限捕获光电探测接收模块 1000-1650nm

    四象限捕获光电探测接收模块 1000-1650nm采用正照型四象限光电探测器与低噪声跨阻抗放大器混合集成。其四个电压输出端P1、P2、P3、P4分别对应于器件中探测器的四个象限,当探测器的四个象限接收的光强变化时,器件的四个电压输出端的电压也会随之线性变化。

    更新时间:2024-12-04
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  • 16尘尘四象限厂颈光电探测器厂滨蚕1600

    16尘尘四象限厂颈光电探测器厂滨蚕1600:器件是N型硅象限探测器,当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时,则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时,由于象限间辐射通量的变化,引起各个象限的输出光电流的变化,由此可测出物体的方位,从而起到跟踪、制导的作用。 16mm四象限Si光电探测器/N型硅象限探测器 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W

    更新时间:2024-12-04
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  • Alphalas UPD超快光电探测器(800-2600nm ,上升沿时间<200ps ,InGaA

    Alphalas UPD超快光电探测器(800-2600nm ,上升沿时间<200ps ,InGaAs;Polished; glass) 产物特点 ?超高速运行 ?上升时间:从15 ps开始 ?带宽:高达25 GHz ?光谱范围:170-2600 nm

    更新时间:2024-12-04
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