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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?3mm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?3mm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2025-02-06
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  • PDA36UV190~ 1100nm放大型可调增益硅光电探测器

    190~ 1100nm放大型可调增益硅光电探测器 我们的硅探测器 ,感光范围覆盖190nm~1100nm, 常用于紫外 与可见光测量;放大型探测器,8档可调增益 ,定量光电转换;动态范围宽 ,适用于各种光电开发场景 ,应用广泛;索雷博THORLABS同款 ,无缝兼容;性能优秀 ,高性价比 ,quan方位技术支持; 提供非标定制服务。

    更新时间:2025-07-03
    产物型号:笔顿础36鲍痴
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  • Si雪崩平衡探测器 1GHz 400-1100nm FC/APC

    Si雪崩平衡探测器 1GHz 400-1100nm FC/APC

    更新时间:2024-12-07
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  • Si雪崩单元探测器 300MHz 400-1100nm FC/APC

    Si雪崩单元探测器 300MHz 400-1100nm FC/APC

    更新时间:2024-12-07
    产物型号:
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  • Si雪崩单元探测器 200MHz 400-1100nm FC/APC

    Si雪崩单元探测器 200MHz 400-1100nm FC/APC

    更新时间:2024-12-07
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