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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?3mm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?3mm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2025-02-06
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  • PDA36UV190~ 1100nm放大型可调增益硅光电探测器

    190~ 1100nm放大型可调增益硅光电探测器 我们的硅探测器 ,感光范围覆盖190nm~1100nm, 常用于紫外 与可见光测量;放大型探测器,8档可调增益 ,定量光电转换;动态范围宽 ,适用于各种光电开发场景 ,应用广泛;索雷博THORLABS同款 ,无缝兼容;性能优秀 ,高性价比 ,quan方位技术支持; 提供非标定制服务。

    更新时间:2025-07-03
    产物型号:笔顿础36鲍痴
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  • SPAD-NIR-FR近红外光自由运行单光子探测器

    近红外光自由运行单光子探测器 近红外自由运行单光子探测器模组SPAD-NIR-FR是我司自主研发的一款自由运行单光子探测器,可以探测到单光子水平的微弱光。其中,1550nm单光子的典型探测效率30%,后脉冲7%暗计数4kcps,时间抖动250ps。SPAD-NIR-FR单光子探测器采用主动淬灭、主动恢复技术,实现对雪崩信号的快速抑制,减小模块的暗计数和后脉冲。该产物可用于单光子激光雷达、量子

    更新时间:2025-07-04
    产物型号:厂笔础顿-狈滨搁-贵搁
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  • InGaAs 雪崩单元探测器 APD-5G-A

    InGaAs 雪崩单元探测器 APD-5G-A 雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带 跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿; 隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响

    更新时间:2025-07-03
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  • InGaAs 雪崩单元探测器 APD-100M-A

    InGaAs 雪崩单元探测器 APD-100M-A 雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带 跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿

    更新时间:2025-07-03
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